Alliance Memory es un fabricante mundial sin fábrica de productos de memoria heredados y de nueva tecnología que reemplazan pin por pin para circuitos integrados SRAM, DRAM y NOR FLASH de Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix y otros. Su cartera de productos incluye una gama completa de SRAM asíncronas de 3,3 V y 5 V utilizadas con microcontroladores y procesadores de señales digitales (DSP) convencionales; y SRAM síncronas, SRAM de bajo consumo, Pseudo SRAM, DRAM síncronas (SDR) de 3,3 V, DDR móviles, 2,5 V simple (DDR1), 1,8 V doble (DDR2) y 1,5 V y 1,35 V de velocidad triple (DDR3) 1,2 V DRAM síncronas de velocidad cuádruple (DDR4), junto con dispositivos Flash NOR paralelos de 5 V. Una alta inversión en troqueles de oblea significa que pueden minimizar o eliminar la contracción del troquel manteniendo precios estables. Su objetivo es establecer relaciones a largo plazo con los clientes y brindar soporte a largo plazo para las piezas que fabrican. Alliance Memory ofrece la mayoría de sus productos SRAM, DRAM y FLASH directamente desde stock, con inventario en EE. UU., Shanghai y Taiwán. Sus precios competitivos, su rápida entrega de muestras y su servicio y soporte al cliente de primer nivel han convertido a Alliance Memory en un recurso confiable para una gama cada vez mayor de circuitos integrados de memoria imprescindibles para los mercados de comunicaciones, informática, integrados, IoT, industriales y de consumo. Memory, Inc. es una empresa privada con sede en Kirkland, Washington.