Alliance Memory est un fabricant mondial sans usine de produits de mémoire anciens et nouveaux qui remplacent les broches par broche pour les circuits intégrés SRAM, DRAM et NOR FLASH de Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix et autres. Leur portefeuille de produits comprend une gamme complète de SRAM asynchrones de 3,3 V et 5 V utilisées avec les processeurs de signaux numériques (DSP) et les microcontrôleurs grand public ; et SRAM synchrones, SRAM basse consommation, pseudo SRAM, DRAM synchrones (SDR) 3,3 V, DDR mobiles, simples 2,5 V (DDR1), doubles 1,8 V (DDR2) et triple débit 1,5 V et 1,35 V (DDR3) 1,2 V des DRAM synchrones à quadruple débit (DDR4), ainsi que des dispositifs Flash NOR parallèles 5 V. Un investissement élevé dans la puce signifie qu'ils peuvent minimiser ou éliminer les rétrécissements de la puce tout en maintenant un prix stable. Leur objectif est d'établir des relations à long terme avec les clients et de fournir un support à long terme pour les pièces qu'ils fabriquent. Alliance Memory livre la plupart de ses produits SRAM, DRAM et FLASH directement à partir de ses stocks, avec des stocks détenus aux États-Unis, à Shanghai et à Taiwan. Leurs prix compétitifs, leur traitement rapide des échantillons ainsi que leur service client et leur assistance de classe mondiale ont fait d'Alliance Memory une ressource fiable pour une gamme croissante de circuits intégrés de mémoire indispensables pour les marchés des communications, de l'informatique, de l'embarqué, de l'IoT, de l'industrie et du grand public.Alliance Memory, Inc. est une société privée dont le siège social est situé à Kirkland, dans l'État de Washington.