Alliance Memory — мировой производитель устаревших и новых технологий памяти, которые являются заменой микросхем SRAM, DRAM и NOR FLASH от Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix и других. Их портфолио продукции включает полный спектр асинхронных SRAM с напряжением 3,3 В и 5 В, используемых с основными процессорами цифровых сигналов (DSP) и микроконтроллерами; и синхронные SRAM, SRAM с низким энергопотреблением, псевдоSRAM, синхронные DRAM 3,3 В (SDR), мобильные DDR, одиночные 2,5 В (DDR1), двойные 1,8 В (DDR2) и тройные скорости 1,5 В и 1,35 В (DDR3) 1,2 В синхронные DRAM с четырехкратной скоростью (DDR4), а также устройства с параллельной флэш-памятью NOR с напряжением 5 В. Высокие инвестиции в кристаллы означают, что они могут минимизировать или устранить усадку кристалла, сохраняя при этом стабильную цену. Их цель — установить долгосрочные отношения с клиентами и обеспечить долгосрочную поддержку производимых ими деталей. Alliance Memory поставляет большую часть своей продукции SRAM, DRAM и FLASH напрямую со склада, склады которой находятся в США, Шанхае и Тайване. Конкурентоспособные цены, быстрая обработка образцов, а также обслуживание и поддержка клиентов мирового класса сделали Alliance Memory надежным ресурсом для растущего спектра обязательных микросхем памяти для коммуникационных, вычислительных, встраиваемых рынков, Интернета вещей, промышленного и потребительского рынков. Memory, Inc. — частная компания со штаб-квартирой в Киркланде, штат Вашингтон.